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采用光耦合器及CMOS 驱动IGBT，沧州该电路自身带过流保护功能，动提光耦合器将脉冲控制电路与驱动电路隔离，满意们4011 的追求四个与非门并联工作提高了驱动能力，互补晶体管V1、沧州V2 降低驱动电路阻抗，动提通过R1、满意们C1 与R2、追求C2 获得不同的沧州正、反向驱动电压，动提以满足各种IGBT 对栅极驱动电压的满意们要求。该电路由于受光耦合器传输速度的追求影响，其工作频率不能太高，沧州同时受4011 型CMOS电路工作电压的动提限制，使+VGE 和-VGE 的满意们幅值相互牵制，并受到限制。
IGBT 的驱动条件与它的静态和动态特性密切相关。栅极的正偏压+VGE、负偏压-VGE 和栅极电阻RG 的大小，对IGBT 的通态电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dVCE/dt等参数都有不同程度的影响。
在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。
IGBT驱动的两个功能， 实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电隔离;提供合适的栅极驱动脉冲。实现电隔离可采用脉冲变压器、微分变压器及光电耦合器。IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。
（作者：产品中心）