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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，保定绝缘栅双极型晶体管，块制是造选择们由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT电路是选择负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和IGBT的放心触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、保定整流二极管、块制光耦隔离芯片，造选择们根据使用IGBT模块型号，选择有些需使用配套的放心触发驱动芯片以及保护电路。

IGBT模块是保定由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、块制安装维修方便、造选择们散热稳定等特点。选择IGBT是放心能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

IGBT模块主要用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电压逆变成频率可调的交流电。它有阴极，阳极，和控制极。关断的时候其阻抗是非常大的基本是断路，接通的时候存在很小的电阻，通过接通或断开控制极来控制阴极和阳极之间的接通和关断。