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IGBT模块的天津适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。块制这些产品可用于通用驱动器、造正牵引、规机构性伺服装置和可再生能源发电（如光伏逆变器或风电应用）等应用，天津具有高可靠性、块制出色性能、造正率和使用寿命长的规机构性优势。IGBT模块采用预涂热界面材料（TIM），天津能让电力电子应用实现一致性的块制散热性能。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，造正绝缘栅双极型晶体管，规机构性是天津由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT电路是块制负责变频器功率输出的部分。通常包含IGBT模块和IGBT的造正触发电路和电流反馈元件。触发电路包含隔离变压器、整流二极管、光耦隔离芯片，根据使用IGBT模块型号，有些需使用配套的触发驱动芯片以及保护电路。

三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。

以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。