价 格：面议

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，唐山绝缘栅双极型晶体管，块价靠是格品由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT是质优一种适合高电压、大电流应用的良诚理想晶体管。IGBT的唐山额定电压范围为400V至2000V，额定电流范围为5A至1000A，块价靠IGBT广泛用于工业应用（例如，格品逆变器系统和不间断电源（UPS））、质优消费类应用（例如，良诚空调和电磁炉），唐山以及车载应用（例如，块价靠电动汽车（EV）电机控制器）。格品

IGBT模块主要用于变频器逆变和其他逆变电路。质优将直流电压逆变成频率可调的良诚交流电。它有阴极，阳极，和控制极。关断的时候其阻抗是非常大的基本是断路，接通的时候存在很小的电阻，通过接通或断开控制极来控制阴极和阳极之间的接通和关断。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。