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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，北京绝缘栅双极型晶体管，市I售信是动出由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的选择高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

在有些应用场景下，北京驱动要提供丰富的市I售信保护功能。首先，动出驱动器要长出一双“眼睛”（故障检测），选择观察“电灯”（负载）或者“开关”（IGBT）运行是北京否正常。如果负载有异常，市I售信故障检测立刻发送信号给“大脑”MCU，动出MCU发指令给IGBT驱动，选择IGBT驱动关闭功率器件，北京避免炸机。市I售信我们把具有保护功能的动出IGBT驱动IC称为增强型驱动。IGBT驱动的保护功能包括欠压关断、短路保护、过压保护、过温保护、米勒钳位、软关断等。

采用脉冲变压器隔离驱动IGBT，该方式是利用变压器的工作原理，由次级感应电压直接驱动IGBT，如上图1所示。由于变压器具有阻抗变换与隔离作用，所以这种驱动方式不仅简化了驱动电路，还解决了驱动电路的供电与 IGBT不共地的连接问题。

采用光耦合器及CMOS 驱动IGBT，该电路自身带过流保护功能，光耦合器将脉冲控制电路与驱动电路隔离，4011 的四个与非门并联工作提高了驱动能力，互补晶体管V1、V2 降低驱动电路阻抗，通过R1、C1 与R2、C2 获得不同的正、反向驱动电压，以满足各种IGBT 对栅极驱动电压的要求。该电路由于受光耦合器传输速度的影响，其工作频率不能太高，同时受4011 型CMOS电路工作电压的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牵制，并受到限制。